Modélisation d’un ISFET. Magister thesis,(2016) Université de Batna 2.
| dc.contributor.author | BOUDJENIFA Bahia | |
| dc.date.accessioned | 2023-03-23T10:55:35Z | |
| dc.date.available | 2023-03-23T10:55:35Z | |
| dc.date.issued | 2017-04-26 | |
| dc.description.abstract | Dans ce mémoire, la modélisation comportementale de l’influence de la température sur la réponse de pH-ISFET a été présenté en utilisant le simulateur Orcad PSPICE et le logiciel Matlab. Ce modèle est basé sur le modèle dit site-binding et le niveau 3 du modèle MOSFET de PSPICE. Les variations de constantes de dissociation ka et kb à l’interface électrolyte/ isolant SiO2/Si3N4 en fonction de la variation de température ont été étudiés. Les paramètres du modèle sont extrait en utilisant l'algorithme de Newton-Gauss en se basant sur la méthode des moindre carrée, l'utilisation de ces valeurs a montré une bonne estimation entre la modélisation et les données expérimentales à différentes températures sur une large gamme de pH. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-batna2.dz/handle/123456789/901 | |
| dc.title | Modélisation d’un ISFET. Magister thesis,(2016) Université de Batna 2. |