Elaboration et étude physico-chimique de siliciures de fer. Magister thesis(2007), Université de Batna 2.
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Date
2017-04-09
Authors
Kermiche, Fouad
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Abstract
Dans ce travail on présente l'application du mixage ionique (Ion Mixing) dans la formation et la croissance de films minces de siliciures de fer. Une couche mince de fer, d'épaisseur environ 1500 Ǻ, était déposée par évaporation thermique à température ambiante sur un substrat de silisium monocristallin Si(111). Un bombardement d'ions Xe+ de dose 5x1016 cm-2 et d'énergie 300 keV était utilisé pour promouvoir la réaction à l'état solide entre le substrat Si et le film Fe. Les échantillons ainsi préparés étaient traités thermiquement sous atmosphère inerte d'azote à 850°C pendant différents temps de maintien. L'évolution structurale et la cinétique de croissance des siliciures en fonction du temps de recuit étaient suivies à l'aide de la diffraction des rayons X (DRX) et la spectrométrie de rétrodiffusion Rutherford (RBS). Les résultats expérimentaux montrent que l'irradiation par les ions de Xe à la température ambiante (RT) conduit à la formation d'une seule phase de monosiliciure ε- FeSi. Cependant, après traitement thermique pendant une (1) heure, la couche de fer a été partiellement transformée en un mélange des phases ε-FeSi, α-FeSi2 et β-FeSi2. Après recuit à plus de 3 heures à la même température en remarque la disparition presque totale de la phase dominante β-FeSi2 uniquement, ce qui explique le début de recristallisation des échantillons à ses conditions.