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Développement d’une Nouvelle Technique Spectroscopique de Détermination de la Densité des Etats Localisés dans les Semi-conducteurs à partir de la Photoconductivité Transitoire. Doctorat thesis, Université de Batna 2. (2010)
(University of Batna 2, 4/26/2017) Belgacem, Hocine
L’étude menée tout au long de cette thèse a pour but la détermination de la densité des états localisés (DOS) dans les semi-conducteurs amorphes et cristallins. Il s’agit du développement d’une nouvelle méthode spectroscopique d’inversion directe de la photoconductivité transitoire (TPC) dans la gamme de temps d’avant recombinaison en vue d’extraire et sans approximations la densité d’états. La technique, dérivée du modèle de multipiégeage, est basée sur le calcul préliminaire de la fonction d’occupation transitoire exacte. L’application de cette spectroscopie transitoire à des données simulées et expérimentales de TPC a donné les résultas suivants: dans le premier cas, la restitution avec fidélité de la DOS à partir des TPC simulées correspondantes, et ce quelle que soit sa forme et indépendamment de la température de ‘mesure’, et dans le second cas, la reconstitution des TPC expérimentales à différentes températures en les générant par simulation numérique par l’intermédiaire de la DOS obtenue à partir de ces dernières. Les données expérimentales de TPC ont été prélevées sur deux échantillons de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), l’un intrinsèque et l’autre dopé au phosphore, et sur un échantillon d’arséniure de gallium (GaAs) rendu semi-isolant par dopage au chrome. Elles proviennent, pour les deux premiers échantillons, du Laboratoire Carnegie de l’Université de Dundee et pour le troisième, du Laboratoire de Génie Electrique de Paris