Département d'électronique
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Item MODELISATION COMPORTEMENTALE DE SPICE A VHDL-AMS. Magister thesis, Université de Batna 2. (2011)(University of Batna 2, 4/27/2017) BENACER ImadLa conception de système passe par la description comportementale des différentes parties (sous-systèmes) du système et de leurs intercommunications. Le langage VHDL-AMS, dont la norme est en train de sortir, vient à point pour favoriser cette description et ces échanges. Ce mémoire a pour objectif : 1. De présenter le passage de la simulation analogique classique à la simulation comportementale et de savoir comment transformer un simulateur électrique de type SPICE en simulateur comportemental. 2. La modélisation des composants et des blocs par SPICE et le langage VHDL-AMS. Il répond au désir de pouvoir fournir dès à présent, alors que la norme VHDL-AMS est sur le point de sortir officiellement, un outil de simulation et une ébauche de méthode de modélisation VHDL-AMS. Le mémoire comprend donc deux grandes parties. Dans la première partie intitulée « Simulation Analogique et Comportementale », nous avons étudié le fonctionnement et la structure d’un simulateur électrique analogique (SPICE), et les grands principes (analogiques) du langage VHDL-AMS. Une comparaison entre les résultats de simulation pour les deux applications soit par SPICE ou VHDL-AMS a montrée que les résultats sont les même quelque soit l’outil de simulationItem Modélisation des transistors organiques. Doctorat thesis,(2016) Université de Batna 2.(University of Batna 2, 6/4/2016) BENACER ImadL’utilisation des composés organiques comme matériaux actifs représente la prochaine génération technologique, cette nouvelle génération a dynamisé la recherche autour des transistors organiques à effet de champs (OFET) grâce à de nombreux avantages, et notamment : leur potentiel bas prix de fabrication et leur flexibilité. Cependant, les transistors organiques souffrent de nombreux défauts : courants faibles, l’injection de charges et la puissance dissipée, en dépit du développement et des progrès impressionnants dans leurs performances. De ce fait, la modélisation des dispositifs électroniques organiques constitue actuellement un axe de recherche très important et attractif à travers le monde. Ce travail porte sur la modélisation du transistor organique, le but d’une modélisation électrique est de remplacer un système complexe par un objet simple et de reproduire voire prédire ses comportements principaux (caractéristique I-V). Nous proposons un modèle analytique de la tension de seuil d’un transistor organique, le modèle prend en compte le profil de dopage gaussien du canal, un modèle physique bidimensionnel d’OFET a été développé à l’aide du logiciel SILVACO (ATLAS) de calcul par éléments finis, puis nous présentons un autre modèle analytique qui a été développé sur la base du modèle des transistors TFT et MOSFET et la méthode d’extraction des paramètres basés sur les algorithmes génétiques de ce modèle. Une autre approche réside dans le développement d’un modèle basé sur la théorie d’un système Neuro-flou (ANFIS) où la base de données est établie sur la base d’un modèle numérique via ATLAS, puis l’implémentation de ce dernier dans l’environnement de simulation PSPICE. Nos résultats sont comparés à des résultats expérimentaux, analysés et commentés de manière à pouvoir en tirer des conclusions pratiques pour la technologie organique. Les résultats acquis et les perspectives montrent l’intérêt de disposer d’outils de modélisation pour développer des composants ou des dispositifs performants à base d’OFETs.