CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DES CIRCUITS INTEGRES MESFET GaAs. Doctorat thesis, Université de Batna 2. (2007)
| dc.contributor.author | BENBOUZA Mohamed Salah | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-08T12:33:33Z | |
| dc.date.available | 2023-05-08T12:33:33Z | |
| dc.date.issued | 4/30/2017 | |
| dc.description.abstract | L'essor exceptionnel que connaît l'industrie des circuits intégrés repose actuellement sur la réduction des dimensions des dispositifs et des composants actifs tels que les transistors à effet de champ à grille Schottky à l'arséniure de gallium dits MESFET GaAs. L’évolution des technologies d’intégration à très grande échelle à marquer l’épanouissement de la microélectronique moderne. La conception assistée par ordinateur est au coeur des recherches mondiale d’une par le développement considérable des logiciels pour composant intégré submicronique et d’autre part par la préoccupation première des facteurs des circuits complexes intégrant ces composants. Au cour de ce travail nous avons été amenés à étudier et proposer un modèle de base du transistor MESFET GaAs afin de disposer du outils efficace pour la CAO des circuits intégrés microondes et logiques. C'est dans ce cadre qu’au premier chapitre, nous avons étudié les propriétés physiques et électriques de l’Arséniure de Gallium et présente les différentes familles des transistors MESFET GaAs. La diode Schottky de grille, son fonctionnement et les problèmes de polarisations liées à l’ensemble des phénomènes physiques et géométriques, est caractérisée et simulée. Au deuxième chapitre, l’étude des propriétés statiques et dynamiques du composant MESFET nous a conduit à définir le système d'équations générales régissant le comportement de la zone active sont établis. L'ensemble des éléments parasites qu’interviennent dans le fonctionnement du modèle proposé du transistor sont identifiés et caractérisés. Au troisième chapitre, les procédés de fabrication des technologies des transistors et circuits intégrés des MESFET GaAs ont étés définies. Les paramètres dominants qui caractérisent ces composants sont établis et simulé. Ensuite l'étude de l’impédance et ainsi que la résistance de sortie des circuits MESFET GaAs sont établis. | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-batna2.dz/handle/123456789/1479 | |
| dc.publisher | University of Batna 2 | |
| dc.title | CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DES CIRCUITS INTEGRES MESFET GaAs. Doctorat thesis, Université de Batna 2. (2007) |