Modélisation du transistor MOS
| dc.contributor.author | Smail Toufik | |
| dc.date.accessioned | 2024-06-03T07:58:27Z | |
| dc.date.available | 2024-06-03T07:58:27Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description.abstract | Dans le cadre de ce travail, notre objectif porte sur la modélisation électrothermique d’un transistor MOSFET de puissance basse tension pour l'estimation de sa température de jonction. Pour atteindre cet objectif, nous sommes passés par plusieurs étapes. La première est consacrée à la modélisation électrique. Le but est de développer un modèle apte de décrire avec précision le comportement statique et dynamique du transistor MOSFET de puissance. La validation de notre modèle repose sur des comparaisons entre des résultats de simulation et les données fournies par la fiche technique du constructeur. La deuxième étape de nos travaux est consacrée à la modélisation thermique, l’objectif de cette étape est l’implémentation d’algorithmes d'optimisation (PSO) pour l’identification de l'impédance thermique transitoire du transistor MOSFET de puissance. La méthode que nous avons proposée, permet de déterminer les paramètres thermiques d'impédance du MOSFET de puissance. Notre procédure d'extraction est validée par un excellent accord entre les simulations et les données fournies par la fiche technique du constructeur. Les résultats de simulation indiquent l'exactitude et l’efficacité de cette méthode. La troisième étape est consacrée à la modélisation électrothermique, l’objectif de cette étape est le développement d’un modèle électrothermique capable d’estimer la température de la jonction du MOSFET de puissance. Les résultats confirment l'efficacité du modèle électrothermique développé pour estimer la température de jonction du MOSFET de puissance. De plus, nous y détaillons les résultats d’essais réalisés sur le modèle électrothermique, en régime d’avalanche. Cette étude est réalisée dans l’optique de vérifier la robustesse de ce modèle, d’évaluer leur énergie critique avant et lors de la défaillance. La dernière étape est consacrée à l’étude des performances dynamiques du modèle électrothermique développée. Nous y étudions l’influence des différentes inductances parasites, la résistance de grille RG et la température ambiante sur le comportement dynamique de ce modèle pendant les phases de commutation, afin de déterminer ses limites de validité. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-batna2.dz/handle/123456789/1780 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | University of Batna 2 | |
| dc.title | Modélisation du transistor MOS |